深圳市芯距离科技有限公司

FET 类型 ：N 沟道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 19A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）： 4.6 毫欧 @ 22A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） ：2.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）： 43nC @ 10V

Vgs（值） ：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）： 3840pF @ 30V

FET 功能 -

功率耗散（值）： 3.1W（Ta），156W（Tc）

工作温度 ：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 ：表面贴装

供应商器件封装： 8-VSONP（5x6）

封装/外壳 ：8-PowerTDFN

特征：

超低Q g和Q gd

低热阻

雪崩评级

逻辑水平

无铅端子电镀

符合RoHS标准

无卤素

SON 5毫米×6毫米塑料封装

这款60V，3.5mΩ，5mm×6mm的NexFET™功率MOSFET旨在限度地降低功率转换应用中的损耗。