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产品信息
FET 类型：N 沟道
技术MOSFET：（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：31A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）：3V，8V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：2.4 毫欧 @ 25A，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：19nC @ 4.5V
Vgs（值）：+10V，-8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：3100pF @ 12.5V
FET 功能-功率耗散（值）：3.1W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
封装/外壳：8-PowerTDFN
特征：
针对5 V栅极驱动进行了优化
超低Q g和Q gd
低热阻
雪崩评级
无铅端子电镀
符合RoHS标准
SON 5毫米×6毫米塑料封装
这款25V，1.9mΩ，5mm×6mm SON NexFET™功率MOSFET的设计旨在限度地降低功率转换损耗，并针对5 V栅极驱动应用进行了优化。